【導(dǎo)讀】STC89C52：8KFLASH、512字節(jié)RAM、32個IO口、3個定時器、1個UART、8個中斷源。
單片機內(nèi)部資源
STC89C52：8KFLASH、512字節(jié)RAM、32個IO口、3個定時器、1個UART、8個中斷源
1.Flash(硬盤)——程序存儲空間 —— 擦寫10萬次，斷電數(shù)據(jù)不丟失，讀寫速度慢
2.RAM(內(nèi)存)——數(shù)據(jù)存儲空間 —— 斷電數(shù)據(jù)丟失，讀寫速度快，無限次使用
3.SFR —— 特殊功能寄存器
單片機最小系統(tǒng)
最小系統(tǒng)：最少組件組成單片機可以工作的系統(tǒng)。
三要素
1.電源電路：5V
2.晶振電路：11.0592MHZ、兩個30PF
3.復(fù)位電路：如上圖中所示
● P0：開漏輸出，必須加上拉電阻
● 強推挽輸出：電流驅(qū)動能力強
● 上下拉電阻：上拉電路就是將不確定的信號通過一個電阻拉到高電平，同時限流作用，下拉電阻就是下拉到低電平。
● 上下拉電阻選?。簭慕档凸姆矫婵紤]應(yīng)該足夠大，因為電阻越大，電流越小，驅(qū)動能力來看，小電阻
硬件基礎(chǔ)知識
1.電磁干擾(EMI)——靜電放電(ESD)、快速瞬間脈沖群(EFT)、浪涌(Surge)
2.去耦電容的使用：低頻濾波電容，平常應(yīng)用最多的事鉭電容，電解電容，陶瓷電容，起到去除電源低頻紋波，穩(wěn)定電源的作用；高頻濾波電容，電容附近，通常用104電容來進行去除高頻干擾
3.三極管(PNP，NPN) b，c，e：電壓驅(qū)動、控制應(yīng)、驅(qū)動應(yīng)用
LED發(fā)光二極管 —— 電流驅(qū)動
通常紅色貼片LED， 靠電流驅(qū)動，電壓1.8V~2.2V，電流1~20mA，在1~5mA亮度有所變化，5mA以上亮度基本不變。
VCC 電壓是 5V，發(fā)光二極管自身壓降大概是 2V，那么在右邊 R34 這個電阻上承受的電壓就是 3V。
R = U/I —— 1~20mA —— R：150~3K
C語言基礎(chǔ)
基本運算符
+ - * / % ++ -- = == != += -= 《《 》》 && “| ! & | ~ ^
循環(huán)(c語言以表示一條語句)
for/while/do.。.while
for(表達式1;表達式2;表達式3)
{
語句;//可以為空
}
while(表達式)//表達式為真，執(zhí)行語句
{
語句;//可以為空
}
do
{
語句;//可以為空
}while(表達式);
函數(shù) (模塊化的思想)
類型 函數(shù)名(參數(shù)類型 參數(shù))
{
函數(shù)體;
}
數(shù)組
具有相同數(shù)據(jù)類型
具有相同的類型
在存儲器中連續(xù)存儲
51單片機常用延時辦法
循環(huán)、定時器
(P0 = ~(1 《《 i++);)
流水燈
給IO口一個低電平即可點亮LED燈。（注：單片機對外設(shè)的操作其實就是對IO口電平的控制）
#include//包含特殊功能寄存器定義的頭文件
typedefunsignedintuint;
typedefunsignedcharuchar;
intmain(void)
{
uinti=0;//定義循環(huán)變量i，用于軟件延時
ucharj=0;//定義計數(shù)變量j，用于移位控制
while(1)//主循環(huán)，程序無限循環(huán)執(zhí)行該循環(huán)體語句
{
P0=~(1《
for(i=0;i《20000;++i);//軟件延時
if(j》=8)//移位計數(shù)超過7后，再重新從0開始
{
j=0;
}
}
return0;
}
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