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Si114x：Silicon Labs推出接近傳感器用于平板電腦
Silicon Labs QuickSense HI產(chǎn)品組合的最新成員Si114x系列產(chǎn)品，為業(yè)界最高靈敏度、高效節(jié)能以及最遠感應(yīng)距離的接近傳感器。采用極小的2mm × 2mm封裝，Si114x傳感器能夠用于手機、電子閱讀器、上網(wǎng)本、平板電腦、個人媒體播放器、玩具、辦公設(shè)備、工業(yè)控制、安全系統(tǒng)、銷售終端和許多其他設(shè)備，實現(xiàn)...
2011-01-25
Si114x Silicon Labs 接近傳感器 平板電腦 高精度
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半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)需建立完整產(chǎn)業(yè)鏈
北京半導(dǎo)體照明科技促進中心主任吳玲近日表示，半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)規(guī)模在過去的五年保持了30%至40%的年增長率，2010年產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到1200億元，保守估計未來五年產(chǎn)業(yè)的年增長率為38%，到2015年產(chǎn)業(yè)規(guī)模將達到6000億元。
2011-01-25
半導(dǎo)體 照明 產(chǎn)業(yè)完善
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飛兆半導(dǎo)體任命Dan Kinzer為首席技術(shù)官
全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 宣布任命Dan Kinzer擔(dān)任首席技術(shù)官兼高級副總裁 (技術(shù))。在其領(lǐng)導(dǎo)下，飛兆半導(dǎo)體將鞏固公司對技術(shù)創(chuàng)新的專注，進一步提升其針對功率電子和便攜應(yīng)用的先進產(chǎn)品系列。
2011-01-25
飛兆半導(dǎo)體 飛兆半導(dǎo)體首席技術(shù)官任命 飛兆半導(dǎo)體新聞
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臺廠高管稱太陽能電池價格低谷已過
潘文輝表示，由于歐洲寒冬、圣誕長假、FIT補助政策出臺未期以及市場供過于求等四大因素，致使去年12月太陽能電池跌價。但從目前的情況來看，F(xiàn)IT政策出臺差不多定調(diào)，1月面臨的環(huán)境已沒有去年12月份的困擾因素，因此，太陽能電池價格的低谷已過去。
2011-01-25
太陽能 電池 價格低谷
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全球最薄內(nèi)藏IC芯片及被動組件的PCB產(chǎn)品出爐
彩色濾光片暨光罩巨擘大日本印刷(DNP)19日發(fā)布新聞稿宣布，為了因應(yīng)行動產(chǎn)品的小型化和高機能化，該公司已研發(fā)出一款可內(nèi)藏IC芯片以及電容、電阻等被動組件的全球最薄印刷電路板(PCB)產(chǎn)品；該款組件內(nèi)藏式PCB產(chǎn)品將開始提供送樣，并預(yù)計于今(2011)年秋天進行量產(chǎn)。
2011-01-24
DNP IC芯片 被動組件 PCB 0.28mm
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日系鋁電解電容器喊漲
平板計算機、AIO以及PC換機潮搶料，整體高檔鋁電解電容器供貨狀況仍呈現(xiàn)吃緊，日系供貨商為反應(yīng)日元升值，元月起決定全面調(diào)漲約8%-10%，同時因部分日系鋁電容廠也在大陸生產(chǎn)，產(chǎn)能恐將受到大陸缺工潮波及，供需缺口恐將擴大。預(yù)計日系鋁電容今年價格還將續(xù)漲，第二波漲勢可能會在5、6月間。
2011-01-24
鋁電解電容器 供貨吃緊 缺工
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日系鋁電解電容器喊漲
平板計算機、AIO以及PC換機潮搶料，整體高檔鋁電解電容器供貨狀況仍呈現(xiàn)吃緊，日系供貨商為反應(yīng)日元升值，元月起決定全面調(diào)漲約8%-10%，同時因部分日系鋁電容廠也在大陸生產(chǎn)，產(chǎn)能恐將受到大陸缺工潮波及，供需缺口恐將擴大。預(yù)計日系鋁電容今年價格還將續(xù)漲，第二波漲勢可能會在5、6月間。
2011-01-24
鋁電解電容器 供貨吃緊 缺工
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英飛凌中國全新子公司開業(yè)
英飛凌科技股份有限公司近日宣布其位于中國北京經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)的全新子公司——英飛凌集成電路（北京）有限公司正式開業(yè)。新公司注冊資本1,500萬美元，將進一步加強公司對高能效、移動性和安全性的關(guān)注，體現(xiàn)了英飛凌對中國市場的長期承諾。
2011-01-24
英飛凌 集成電路 北京 開業(yè)
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CMF20120D：美國科銳投產(chǎn)采用SiC的+1200V耐壓功率MOSFET
美國科銳（Cree）宣布，已經(jīng)投產(chǎn)了采用SiC（碳化硅）材料的+1200V耐壓功率MOSFET“CMF20120D”（英文發(fā)布資料）?？其J是繼2010年12月的羅姆之后第二家宣布投產(chǎn)SiC功率MOSFET的企業(yè)。不過，科銳在發(fā)布資料中稱自己“是業(yè)界第一個投產(chǎn)的”。目標(biāo)用途包括，太陽能發(fā)電用逆變器裝置、高電壓輸出DC-DC轉(zhuǎn)換器...
2011-01-24
科銳 SiC MOSFET CMF20120D
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