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2012年軌道交通創(chuàng)新力企業(yè)50強(qiáng)評(píng)選入圍榜單公布
「RT TOP50」軌道交通創(chuàng)新力企業(yè)50強(qiáng)評(píng)選榜單，是軌道交通行業(yè)唯一的創(chuàng)新指數(shù)榜，曾由RT《軌道交通》雜志和人民鐵道報(bào)、中國(guó)企業(yè)評(píng)價(jià)協(xié)會(huì)共同聯(lián)合發(fā)起，自2008年首次發(fā)榜，每年年初都評(píng)選出一批富有標(biāo)桿意義的創(chuàng)新企業(yè)、創(chuàng)新人物、創(chuàng)新產(chǎn)品。
2012-10-25
電子元件技術(shù)網(wǎng)
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安森美半導(dǎo)體新增九種高性能溝槽型場(chǎng)截止IGBT
安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場(chǎng)截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案，提升系統(tǒng)總體開關(guān)能效，降低功率耗散，且提升系統(tǒng)可靠性，這些產(chǎn)品中包含專門針對(duì)太陽(yáng)能及不間斷電源(UPS)應(yīng)用高性能電源轉(zhuǎn)換的器件。
2012-10-25
安森美半導(dǎo)體 溝槽型場(chǎng)截止IGBT 電機(jī)控制 太陽(yáng)能
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德州儀器首推支持10Gbps以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)的收發(fā)器
德州儀器 (TI) 宣布推出業(yè)界首款支持多種 10G/40G 以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)以及 1 Gbps 至 10 Gbps 多種專有速率的 4 通道 XAUI/10GBASE-KR 收發(fā)器TLK10034 ，能靈活應(yīng)用于物理層 (PHY) 串行器／解串器 (SerDes) ，幫助工程師采用單個(gè)串行器／解串器滿足其所有協(xié)議需求，無(wú)需準(zhǔn)備多種器件。
2012-10-25
德州儀器 10Gbps 以太網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn) 收發(fā)器
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愛特梅爾推出獲Windows 8認(rèn)證的mXT3432S
特梅爾公司(Atmel)宣布設(shè)計(jì)用于快速增長(zhǎng)的超級(jí)本和筆記本電腦市場(chǎng)的maXTouch S系列器件現(xiàn)已供貨。新推出的Windows 8認(rèn)證Atmel mXT3432S以maXTouch S系列的成功為基礎(chǔ)，是優(yōu)化用于最大17.3英寸觸摸屏的小占位面積觸摸屏控制器。
2012-10-25
愛特梅爾 Windows 8 mXT3432S 超級(jí)本 筆記本
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解決模擬工程師的困擾:晶振匹配和溫度漂移
模擬工程師，在電路中使用晶振時(shí)，經(jīng)常會(huì)碰到這樣的煩惱，一是晶振在電路中匹配不理想，影響使用效果；二是晶振的溫度漂移太大，甚至影響產(chǎn)品的性能。
2012-10-24
晶振 晶振匹配 溫度漂移
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D類功放和與AB類功放優(yōu)缺點(diǎn)對(duì)比
“數(shù)字功放”的基本電路是早已存在的Ｄ類放大器（國(guó)內(nèi)稱丁類放大器）。以前，由于價(jià)格和技術(shù)上的原因，這種放大電路只是在實(shí)驗(yàn)室或高價(jià)位的測(cè)試儀器中應(yīng)用。這幾年的技術(shù)發(fā)展使數(shù)字功放的元件集成到一兩塊芯片中，價(jià)格也在不斷下降。理論證明，Ｄ類放大器的效率可達(dá)到100％。然而，迄今還沒有找到理想...
2012-10-24
D類功放 AB類功放 數(shù)字功放
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半導(dǎo)體三極管技術(shù)參數(shù)分析
中國(guó)、印度等新興市場(chǎng)的成長(zhǎng)將帶動(dòng)消費(fèi)電子產(chǎn)品如LCD TV、筆記本電腦、臺(tái)式電腦、雙模數(shù)碼相機(jī)（DSC）、手機(jī)，汽車電子，智能手機(jī)等終端產(chǎn)品需求量上升的強(qiáng)大助力，而3G建設(shè)等新產(chǎn)品新行業(yè)的的快速發(fā)展，進(jìn)而帶動(dòng)上游半導(dǎo)體三極管的市場(chǎng)成長(zhǎng)，給電子行業(yè)帶來(lái)巨大商機(jī)。那么很多電子行業(yè)的生產(chǎn)企業(yè)在...
2012-10-24
半導(dǎo)體 三極管
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阻值高達(dá)100MΩ可邦定的薄膜片式電阻
Vishay推出可邦定的薄膜片式電阻，CS44系列電阻的占位僅有40mil x 40mil (1mm x 1mm) ，電阻值高達(dá)100MΩ。該系列具有±50ppm/℃的低TCR和±0.5%的容差。
2012-10-24
Vishay 薄膜電阻 電阻值
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TDK的熱輔助記錄實(shí)現(xiàn)每平方英寸1.5Tbit
TDK公開了能夠提高硬盤記錄密度的新型磁頭的開發(fā)成果。通過(guò)使用采用近場(chǎng)光的熱輔助記錄方式的磁頭技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了1.5Tbit/inch2的面記錄密度，誤碼率（BER）為10-2。
2012-10-24
TDK 磁頭 硬盤
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