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STx42N65M5:ST最新MDmesh V功率MOSFET
意法半導(dǎo)體近日宣布,功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破,最新的MDmesh V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻
2009-02-23
ST MOSFET RDS(ON) 節(jié)能 導(dǎo)通電阻
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STx42N65M5:ST最新MDmesh V功率MOSFET
意法半導(dǎo)體近日宣布,功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破,最新的MDmesh V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻
2009-02-23
ST MOSFET RDS(ON) 節(jié)能 導(dǎo)通電阻
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STx42N65M5:ST最新MDmesh V功率MOSFET
意法半導(dǎo)體近日宣布,功率MOSFET芯片性能方面取得巨大突破,最新的MDmesh V技術(shù)達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的單位芯片面積導(dǎo)通電阻
2009-02-23
ST MOSFET RDS(ON) 節(jié)能 導(dǎo)通電阻
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T5000/ABS1200E:EPCOS最小MEMS核心氣壓傳感器
愛(ài)普科斯(EPCOS)將在慕尼黑上海電子展(2009年3月17日至19日)上推出全球最小型封裝的氣壓傳感器,其尺寸僅為1.7×1.7×0.9mm3,小于同行競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品數(shù)倍,盡顯愛(ài)普科斯在微型化解決方案方面的實(shí)力和創(chuàng)意。該新型壓力傳感器為新一代設(shè)備和系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)拓展了無(wú)數(shù)的應(yīng)用前景,特別是在便攜式電子產(chǎn)...
2009-02-23
T5000 ABS1200E EPCOS MEMS 氣壓傳感器
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聚焦電源模塊
這次半月談聚焦電源模塊,網(wǎng)友積極幫了很多忙。有網(wǎng)友自己的體會(huì)、有難得的行業(yè)節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)、有電源模塊選擇方式也有電源模塊市場(chǎng)分析。通過(guò)我們的認(rèn)真整理和添加,這些電源模塊好文章又來(lái)社區(qū)中間。
2009-02-20
電源模塊 開(kāi)關(guān)電源 節(jié)能 共建共享
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聚焦電源模塊
這次半月談聚焦電源模塊,網(wǎng)友積極幫了很多忙。有網(wǎng)友自己的體會(huì)、有難得的行業(yè)節(jié)能標(biāo)準(zhǔn)、有電源模塊選擇方式也有電源模塊市場(chǎng)分析。通過(guò)我們的認(rèn)真整理和添加,這些電源模塊好文章又來(lái)社區(qū)中間。
2009-02-20
電源模塊 開(kāi)關(guān)電源 節(jié)能 共建共享
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陶顯芳老師談電磁干擾與電磁兼容(四)
本文介紹了電磁感應(yīng)和干擾的發(fā)生機(jī)理以及磁通量和電磁干擾強(qiáng)度的計(jì)算方法。
2009-02-20
電磁兼容 電磁干擾 磁通量 磁感應(yīng)系數(shù)
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陶顯芳老師談電磁干擾與電磁兼容(四)
本文介紹了電磁感應(yīng)和干擾的發(fā)生機(jī)理以及磁通量和電磁干擾強(qiáng)度的計(jì)算方法。
2009-02-20
電磁兼容 電磁干擾 磁通量 磁感應(yīng)系數(shù)
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陶顯芳老師談電磁干擾與電磁兼容(四)
本文介紹了電磁感應(yīng)和干擾的發(fā)生機(jī)理以及磁通量和電磁干擾強(qiáng)度的計(jì)算方法。
2009-02-20
電磁兼容 電磁干擾 磁通量 磁感應(yīng)系數(shù)
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