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南方芯源總經(jīng)理羅義：依靠品牌與質(zhì)量走向未來
2008年，南方芯源科技有限公司在半導體行業(yè)成績斐然，其生產(chǎn)的MOSFET成功的成為全球巨頭Philips Lighting Electronics公司的供應商。南方芯源的企業(yè)戰(zhàn)略是：重金投入研發(fā)；靈活的銷售模式；依靠品牌與質(zhì)量走向未來。
2009-02-03
南方芯源 羅義 MOSFET
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中國LED產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展 愈加成熟
2008年可以說是LED產(chǎn)業(yè)豐收的一年，有以下幾個特點：2008年是LED產(chǎn)業(yè)的奧運年；城市道路照明由示范工程到主要照明順利過渡；我國LED產(chǎn)業(yè)投資方式多元化；傳統(tǒng)光源企業(yè)步入LED照明領(lǐng)域；2009年LED產(chǎn)業(yè)將更規(guī)范有序。
2009-02-03
LED LED照明 半導體照明
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中國LED產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展 愈加成熟
2008年可以說是LED產(chǎn)業(yè)豐收的一年，有以下幾個特點：2008年是LED產(chǎn)業(yè)的奧運年；城市道路照明由示范工程到主要照明順利過渡；我國LED產(chǎn)業(yè)投資方式多元化；傳統(tǒng)光源企業(yè)步入LED照明領(lǐng)域；2009年LED產(chǎn)業(yè)將更規(guī)范有序。
2009-02-03
LED LED照明 半導體照明
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中國LED產(chǎn)業(yè)穩(wěn)步發(fā)展 愈加成熟
2008年可以說是LED產(chǎn)業(yè)豐收的一年，有以下幾個特點：2008年是LED產(chǎn)業(yè)的奧運年；城市道路照明由示范工程到主要照明順利過渡；我國LED產(chǎn)業(yè)投資方式多元化；傳統(tǒng)光源企業(yè)步入LED照明領(lǐng)域；2009年LED產(chǎn)業(yè)將更規(guī)范有序。
2009-02-03
LED LED照明 半導體照明
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215系列：Littelfuse新款5×20mm陶瓷體延時型管狀保險絲
Littelfuse推出新款215系列5×20mm陶瓷體、延時型管狀保險絲，能夠在有限的空間內(nèi)實現(xiàn)高熔斷容量。此新款保險絲可以為高達250VAC的供電提供15A、16A、20A和25A的額定電流。
2009-02-03
215系列 延時型保險絲
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Eamex開發(fā)出電極上能量密度為100Wh/L的大容量電容器
日本Eamex近日宣布，開發(fā)出了單位體積電量密度極高的大容量電容器。該產(chǎn)品是使用金屬電極夾住固體高分子膜的電雙層電容器的一種，電極的比表面積提高到該公司原產(chǎn)品的10倍，同時電解液的鹽通過使用鋰離子，實現(xiàn)了電極上100Wh/L的能量密度。
2009-02-03
大容量電容器 鋰離子電容器
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GM4BN653C0A：夏普新款用于手機背光的側(cè)面發(fā)光白色LED
夏普將上市封裝高度0.6mm、側(cè)面發(fā)光的白色LED“GM4BN653C0A”。其順向電壓為+3.2V、順向電流為20mA時的亮度為1700mcd。主要用于手機和游戲機等中小型液晶面板的背光源。
2009-02-03
GM4BN653C0A 側(cè)面發(fā)光 白色LED
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TIG058E8：三洋半導體開發(fā)出面積縮小60％的手機閃光燈用IGBT
三洋半導體開發(fā)出了面積比原產(chǎn)品縮小約60%的氙氣閃光燈（Xenon Flash）用IGBT“TIG058E8”。主要用于手機的拍照功能?？赏ㄟ^IGBT的開關(guān)操作瞬間釋放電容器內(nèi)存儲的電力，使氙氣管發(fā)光。
2009-02-02
IGBT TIG058E8 氙氣閃光燈
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FVXO-PC72：Fox 2.5伏壓控晶體振蕩器
Fox Electronics公司為XpressO振蕩器系列推出了一款2.5伏LVPECL壓控晶體振蕩器FVXO-PC72，該產(chǎn)品采用7x 5毫米封裝，并將頻率范圍從0.75兆赫至1.0千兆赫。
2009-02-02
振蕩器 壓控晶體振蕩器 FVXO-PC72
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