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兩岸與日本大膽挑戰(zhàn)三星AMOLED霸主地位
不滿長(zhǎng)久以來(lái)一直由三星移動(dòng)顯示(Samsung Mobile Display；SMD)獨(dú)占主動(dòng)式矩陣有機(jī)電激發(fā)光二極管(AMOLED)市場(chǎng)，大陸廠商決定加入搶食這塊大餅，先前大陸京東方進(jìn)軍AM OLED市場(chǎng)的傳言喧囂塵上，近日終于公開(kāi)具體的投資及量產(chǎn)計(jì)劃。臺(tái)灣及日本廠商也磨拳霍霍，積極投入研發(fā)心制品，大膽挑戰(zhàn)三星在AMO...
2011-11-03
半導(dǎo)體 平面顯示器 三星 移動(dòng)顯示
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2011年中國(guó)智能電表行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局分析
智能電表是輸配電網(wǎng)的終端設(shè)備之一，目前，中國(guó)國(guó)家電網(wǎng)基本占據(jù)了中國(guó)電網(wǎng)建設(shè)投資的絕大部分，中國(guó)國(guó)家電網(wǎng)智能電表招標(biāo)情況是中國(guó)智能電表行業(yè)的顯性指標(biāo)。2011年國(guó)家電網(wǎng)前四批智能電表招標(biāo)的市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到43,911,738只。其中，2級(jí)單相智能電能表為主要的智能電表招標(biāo)產(chǎn)品，2011年前四次招標(biāo)中，...
2011-11-03
智能電表 智能電網(wǎng) 電表
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理解功率MOSFET的電流
本文分析功率MOSFET的連續(xù)漏極電流、脈沖漏極電流和雪崩電流的定義，并闡述在實(shí)際設(shè)計(jì)過(guò)程中，這些電流值如何影響系統(tǒng)以及在實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中如何考慮這些因素，最后給出選取這些電流值的原則，旨在幫助工程師全面了解功率MOSFET的電流。
2011-11-02
MOSFET 電流 連續(xù)漏極電流 脈沖漏極電流 雪崩電流
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UPS的電磁兼容設(shè)計(jì)解決方案
UPS不間斷電源電磁兼容的問(wèn)題必須在產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)階段解決。針對(duì)UPS的產(chǎn)品特點(diǎn)，UPS的電磁兼容主要包含以下幾個(gè)部分：電源的輸入、輸出傳導(dǎo)干擾;電源的輻射騷擾;UPS的抗干擾特性。本文將逐項(xiàng)闡述達(dá)到相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求的UPS設(shè)計(jì)方法。
2011-11-02
UPS 不間斷電源 EMC EMI 電磁兼容 干擾
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2012年太陽(yáng)能光伏設(shè)備支出降低45%
據(jù)了解，現(xiàn)已規(guī)劃的2012年全球太陽(yáng)能光伏(PV)設(shè)備支出費(fèi)用在今年131美元?dú)v史高峰的基礎(chǔ)上降低45%，這項(xiàng)費(fèi)用包括c-Siingot到模塊和薄膜面板的支出費(fèi)用。因此，2012年之后，太陽(yáng)能光伏設(shè)備供應(yīng)商不得不重新確定自己的產(chǎn)品路線圖以配合預(yù)計(jì)中回升的支出。
2011-11-02
太陽(yáng)能 光伏
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Vishay Siliconix推出通過(guò)JAN認(rèn)證的軍用級(jí)N溝道功率MOSFET
Vishay Siliconix推出通過(guò)JAN認(rèn)證的軍用級(jí)N溝道功率MOSFET采用密封TO-205AD封裝的軍用級(jí)器件具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能。
2011-11-02
功率MOSFET 軍用級(jí)器件 軍工 航天
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精確測(cè)量蓄電池內(nèi)阻方法的研究
為了精確測(cè)量蓄電池的內(nèi)阻，本文采用了四端子測(cè)量方式，將蓄電池兩端上的電壓響應(yīng)信號(hào)通過(guò)交流差分電路與產(chǎn)生恒定交流源的正弦信號(hào)經(jīng)過(guò)模擬乘法器相乘，再將模擬乘法器的輸出電壓信號(hào)通過(guò)濾波電路，使交流信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷餍盘?hào)，直流信號(hào)經(jīng)直流放大器放大后進(jìn)行模數(shù)轉(zhuǎn)換，將轉(zhuǎn)換后的值送入單片機(jī)進(jìn)行...
2011-11-01
蓄電池 內(nèi)阻
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電子輻照對(duì)開(kāi)關(guān)電源中功率雙極晶體管損耗的影響
為了提高電源轉(zhuǎn)換效率和工作頻率， 就必須要降低開(kāi)關(guān)管的損耗。為了降低功率雙極晶體管的損耗， 本文采用了10 MeV 電子輻照來(lái)減小其關(guān)斷延遲時(shí)間， 提高開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換效率。通過(guò)在功率雙極晶體管中加入鉗位電路使得晶體管不能達(dá)到深飽和也能降低關(guān)斷延時(shí)和關(guān)斷損耗，本文也對(duì)電子輻照雙極晶體管和鉗...
2011-11-01
功率雙極晶體管 開(kāi)關(guān)電源 電子輻照
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3LG 系列：IDT 推出全球首款超低功耗±50 ppm CrystalFree? CMOS 振蕩器
擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT? 公司，推出業(yè)界首款擁有突破性 ±50 ppm 頻率精度和超低功耗的 CMOS 振蕩器。新器件代替了傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器，在任何要求 ±50 ppm 時(shí)間基準(zhǔn)的廣泛應(yīng)用中，節(jié)省功耗高達(dá) 75%，包括計(jì)算、通信和消費(fèi)市場(chǎng)
2011-11-01
3LG IDT 振蕩器 CrystalFree CMOS
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