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關(guān)鍵電源技術(shù)要素都有哪些？
本電源技術(shù)購(gòu)買指南以易于理解的術(shù)語(yǔ)介紹了一些重要類型組件的主要屬性和功能。該指南專門針對(duì)采購(gòu)專業(yè)人員，涵蓋了從簡(jiǎn)單的元器件到比較復(fù)雜的IC等主要組件。本文還提供一個(gè)可下載指南，其中包括電源領(lǐng)域中常用術(shù)語(yǔ)的詞匯表。
2020-11-10
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穩(wěn)壓二極管與普通二極管的區(qū)別
普通極管，電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過(guò)，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（Varicap Diode）則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。
2020-11-10
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安森美的1200V壓鑄模功率集成模塊系列獲中國(guó)2020年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)
2020年11月9日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，宣布其1200 V壓鑄模功率集成模塊(TM-PIM)系列獲《21IC中國(guó)電子網(wǎng)》(21ic.com)選為2020年Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)。
2020-11-09
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如何檢測(cè)紅外發(fā)射二極管的極性及好壞？
二極管，（英語(yǔ)：Diode），電子元件當(dāng)中，一種具有兩個(gè)電極的裝置，只允許電流由單一方向流過(guò)，許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管（Varicap Diode）則用來(lái)當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。大部分二極管所具備的電流方向性我們通常稱之為“整流（RecTIfying）”功能。
2020-11-09
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安森美的VE-Trac Dual獲ASPENCORE全球電子成就獎(jiǎng)
2020年11月6日 — 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON）的VE-Trac Dual電源模塊NVG800A75L4DSC獲2020年全球電子成就獎(jiǎng) (WEAA) 電源管理/電壓轉(zhuǎn)換類創(chuàng)新產(chǎn)品獎(jiǎng)。
2020-11-06
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SiC將會(huì)是分立器件和模塊共存的市場(chǎng)
隨著半導(dǎo)體材料步入第三代半導(dǎo)體時(shí)代，行業(yè)巨頭在SiC/GaN器件和模塊上早已布局多年。事實(shí)上，從特性上來(lái)講，SiC和GaN的優(yōu)勢(shì)是互補(bǔ)的，應(yīng)用覆蓋了電動(dòng)汽車(EV)、新能源、光伏逆變器、智能電器、醫(yī)療、通信射頻。
2020-11-06
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AntMicro開(kāi)源DRAM控制器添加對(duì)RPC DRAM的支持
物聯(lián)網(wǎng)是從半導(dǎo)體技術(shù)的小型化中受益匪淺的領(lǐng)域之一，因?yàn)楦嗟挠?jì)算能力可以被封裝到越來(lái)越小的設(shè)備中。由于體積縮小、功耗降低，各種設(shè)備（包括支持人工智能的設(shè)備）的應(yīng)用方式在幾年前是不可能實(shí)現(xiàn)的。這一領(lǐng)域最令人興奮的發(fā)展之一是RPC（reduced pin count）DRAM的出現(xiàn)，這是一種小尺寸的存儲(chǔ)器，Antmicro已經(jīng)開(kāi)發(fā)了對(duì)開(kāi)源內(nèi)存控制器LiteDRAM的支持。
2020-11-05
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貿(mào)澤電子新品推薦：2020年10月
2020年11月4日 – 致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，首要任務(wù)是提供來(lái)自1100多家知名廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。
2020-11-04
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利用光聲效應(yīng)的MEMS氣體傳感器模塊
光聲效應(yīng)（photoacoustic effect）在19世紀(jì)被發(fā)現(xiàn)，它可以將光轉(zhuǎn)換成聲音。當(dāng)物質(zhì)受到周期性強(qiáng)度調(diào)制的光照射時(shí)，產(chǎn)生聲信號(hào)的現(xiàn)象。用光照射某種媒質(zhì)時(shí)，由于媒質(zhì)對(duì)光的吸收會(huì)使其內(nèi)部的溫度改變從而引起媒質(zhì)內(nèi)某些區(qū)域結(jié)構(gòu)和體積變化；當(dāng)采用脈沖光源或調(diào)制光源時(shí)，媒質(zhì)溫度的升降會(huì)引起媒質(zhì)的體積漲縮，因而可以向外輻射聲波。這種現(xiàn)象稱為光聲效應(yīng)。
2020-11-04
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碳化硅FET推動(dòng)了電力電子技術(shù)的發(fā)展
碳化硅（SiC）JFET是一種晶體管類型，它提供單位面積上最低的導(dǎo)通電阻RDS（on），是一種性能穩(wěn)定的器件。與傳統(tǒng)的MOSFET器件相比，JFET不易發(fā)生故障，適合斷路器和限流應(yīng)用。例如，如果你用1毫安的電流偏置一個(gè)JFET的柵極，并監(jiān)控柵極電壓Vgs，見(jiàn)圖1，你可以監(jiān)控器件的溫度，因?yàn)閂gs隨溫度線性降低。此屬性對(duì)于需要功率場(chǎng)效應(yīng)管（Sic JFET）的功率模塊應(yīng)用程序特別有用，它可以監(jiān)視其自身的運(yùn)行狀況。
2020-11-03
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GaN基電源性能的簡(jiǎn)易測(cè)試技術(shù)
今天，大多數(shù)電源路線圖都將GaN晶體管作為一個(gè)關(guān)鍵平臺(tái)集成到其中。與Si-mosfet、igbt和SiC-mosfet相比，GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)意味著工程師們正在將它們廣泛地設(shè)計(jì)到他們的系統(tǒng)中。然而，GaN晶體管在開(kāi)關(guān)電源中的這些進(jìn)步也使得表征這些電源的性能變得越來(lái)越具有挑戰(zhàn)性。在半橋上測(cè)量高邊VGS是診斷晶體管交叉導(dǎo)通的一種傳統(tǒng)方法，對(duì)于基于GaN的設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。典型的解決方案是使用高成本的測(cè)量設(shè)備，這并不總是產(chǎn)生有用的結(jié)果。本文介紹了一種利用GaN晶體管的獨(dú)特特性測(cè)量交叉導(dǎo)通的簡(jiǎn)單而經(jīng)濟(jì)的方法。
2020-11-03
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簡(jiǎn)化汽車和工業(yè)領(lǐng)域的功能安全認(rèn)證
合理的功能安全設(shè)計(jì)離不開(kāi)嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽B(tài)度和大量的文檔參考，也需要投入一定的時(shí)間。無(wú)論您從事工廠車間還是公路方面的設(shè)計(jì)，此白皮書中 TI 的集成電路 (IC) 設(shè)計(jì)方法都會(huì)為您提供所需的資源，從而簡(jiǎn)化功能安全設(shè)計(jì)。隨著工業(yè)和汽車領(lǐng)域自動(dòng)化的出現(xiàn)，人們對(duì)功能安全的需求有增無(wú)減。
2020-11-03
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