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傳感技術(shù)

S-TouchFingerTip：意法半導(dǎo)體推出無限同步觸控的多點(diǎn)觸控技術(shù)

下一代智能型手機(jī)不太可能變得更小，但會變得更輕薄、更智慧。針對這一市場發(fā)展趨勢，全球領(lǐng)先的手機(jī)和消費(fèi)性電子芯片供貨商意法半導(dǎo)體發(fā)表新款單芯片寬屏幕電容式觸控面板控制器。

2010-12-29

S-TouchFingerTip 意法半導(dǎo)體控制器多點(diǎn)觸控

BGI0365：晶奇自主開發(fā)大動態(tài)范圍CMOS圖像傳感器用于視頻監(jiān)控

BGI0365是晶奇完全自主開發(fā)的視頻監(jiān)控用大動態(tài)范圍低照度CMOS圖像傳感器。在動態(tài)范圍、暗光特性以及噪聲控制方面采用了多項專利技術(shù)，使其達(dá)到了目前占據(jù)國內(nèi)監(jiān)控市場主流的Sony同類產(chǎn)品性能指標(biāo)，成本和售價明顯降低；同時通過開放功能接口，保證后端相機(jī)系統(tǒng)廠商具有獨(dú)立開發(fā)的可能。這對于打破進(jìn)...

2010-12-29

BGI0365 CMOS 圖像傳感器視頻監(jiān)控機(jī)器視覺汽車電子

我國傳感器行業(yè)尷尬地方

我國傳感器產(chǎn)業(yè)要適應(yīng)技術(shù)潮流，向國內(nèi)外兩個市場相結(jié)合的國際化方向發(fā)展，讓傳感器和檢測儀表抓住信息化的發(fā)展機(jī)遇。

2010-12-28

傳感器尷尬市場技術(shù)

物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)短期難出臺實力企業(yè)或主導(dǎo)制定

“物聯(lián)網(wǎng)標(biāo)準(zhǔn)很復(fù)雜，短期難以出臺?！眹夜ば挪侩娮涌萍嘉敝魅螐堢鹘榻B，目前國家12個部委23個已有的標(biāo)準(zhǔn)工作組正聯(lián)合積極參與標(biāo)準(zhǔn)的制定。

2010-12-27

物聯(lián)網(wǎng) 標(biāo)準(zhǔn) 傳感網(wǎng)

RFID：中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的下一個重大應(yīng)用

據(jù)iSuppli公司介紹，經(jīng)過多年的發(fā)展之后，中國的射頻識別(RFID)半導(dǎo)體市場未來幾年將突飛猛進(jìn)，達(dá)到巨大的規(guī)模，2009-2014年銷售額將增長一倍以上。

2010-12-27

RFID 射頻識別物聯(lián)網(wǎng)

MEMS麥克風(fēng)將全面取代傳統(tǒng)麥克風(fēng)

為創(chuàng)造產(chǎn)品不同的市場區(qū)隔，提供更好的音訊品質(zhì)已成為消費(fèi)性電子與手機(jī)廠商的主要選擇之一。傳統(tǒng)麥克風(fēng)價格固然便宜，但是在音質(zhì)表現(xiàn)與尺寸上卻已面臨瓶頸。憑藉音訊品質(zhì)更佳的優(yōu)勢，MEMS麥克風(fēng)已對傳統(tǒng)麥克風(fēng)造成莫大的威脅。

2010-12-24

MEMS 麥克風(fēng) 傳統(tǒng)麥克風(fēng) 品質(zhì) 單晶片

電容式觸摸屏正快速取代電阻式觸摸面板

2009年時，電阻式觸摸屏在觸摸屏手機(jī)市場的占有率還在70%，但是今年已經(jīng)跌到了30%，也就是說電容式觸摸屏份額已經(jīng)迅速增長到了70%。Andy Chin認(rèn)為，明年的觸摸屏手機(jī)有望全面使用電容性觸摸技術(shù)。

2010-12-24

電容式觸摸屏電阻式觸摸面板 ipad 塞普銳思產(chǎn)能

中國三網(wǎng)合一助力MEMS應(yīng)用擴(kuò)大

拜三網(wǎng)合一服務(wù)(TriplePlay)所賜，電視、電腦及手機(jī)中的游戲功能數(shù)量激增，帶動微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)感測器在三維(3D)眼鏡、無線滑鼠、遠(yuǎn)端控制器等應(yīng)用的需求，可望成為繼手機(jī)之后，激勵MEMS產(chǎn)值攀升的一大動能，遂成為MEMS感測器供應(yīng)商瞄準(zhǔn)的新興市場...

2010-12-23

MEMS 三網(wǎng)合一陀螺儀

CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管

CISSOID，在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員?；鹦鞘且粋€高溫度30V小訊號P-FET場效應(yīng)管, 適合于-55 ℃至+225℃高溫可靠運(yùn)作。由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流。所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如...

2010-12-23

CISSOID 高溫度 30V 小訊號 P-FET 場效應(yīng)管

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