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iSuppli預(yù)測(cè)09年LED背光成為面板產(chǎn)業(yè)救世主
據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli預(yù)測(cè)，2009年全球LED銷(xiāo)售額可望逆勢(shì)成長(zhǎng)2.9%，增幅雖低于2008年的10.8%，但表現(xiàn)仍遠(yuǎn)優(yōu)于其它銷(xiāo)售額驟減的電子零組件產(chǎn)品類(lèi)別。2009年，LED在背光領(lǐng)域的增長(zhǎng)主要集中在液晶電視、筆記本電腦，特別是Netbook上的應(yīng)用。
2009-03-12
LED背光 面板 液晶電視 筆記本 上網(wǎng)本
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USB 3.0測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺(tái)
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有望于2009年上半年出臺(tái)。參與測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)制定的美國(guó)安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預(yù)定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應(yīng)用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會(huì)“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測(cè)試儀器
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USB 3.0測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺(tái)
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有望于2009年上半年出臺(tái)。參與測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)制定的美國(guó)安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預(yù)定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應(yīng)用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會(huì)“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測(cè)試儀器
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USB 3.0測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺(tái)
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有望于2009年上半年出臺(tái)。參與測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)制定的美國(guó)安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預(yù)定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應(yīng)用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會(huì)“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測(cè)試儀器
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開(kāi)關(guān)
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開(kāi)關(guān)
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開(kāi)關(guān)
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中國(guó)版WEEE出臺(tái)：電器廠商成本上升5%
在歐盟《關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令》(WEEE)全面實(shí)施近三年后，中國(guó)版WEEE出臺(tái)。條例對(duì)制造商有很多保護(hù)措施，而金融危機(jī)的到來(lái)讓該條例正式實(shí)施的時(shí)間推遲到2011年元旦。中國(guó)版的WEEE在多次征求意見(jiàn)和修改后對(duì)生產(chǎn)者采取了優(yōu)惠的政策，但保留了“生產(chǎn)者負(fù)責(zé)制”。該法規(guī)有可能使電器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中國(guó)版WEEE WEEE 關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令 廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理?xiàng)l例
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中國(guó)版WEEE出臺(tái)：電器廠商成本上升5%
在歐盟《關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令》(WEEE)全面實(shí)施近三年后，中國(guó)版WEEE出臺(tái)。條例對(duì)制造商有很多保護(hù)措施，而金融危機(jī)的到來(lái)讓該條例正式實(shí)施的時(shí)間推遲到2011年元旦。中國(guó)版的WEEE在多次征求意見(jiàn)和修改后對(duì)生產(chǎn)者采取了優(yōu)惠的政策，但保留了“生產(chǎn)者負(fù)責(zé)制”。該法規(guī)有可能使電器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中國(guó)版WEEE WEEE 關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令 廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理?xiàng)l例
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