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中國(guó)DVD播放機(jī)市場(chǎng)日漸日“清”
2009年3月5日，中國(guó)權(quán)威ICT研究與管理咨詢機(jī)構(gòu)賽迪顧問股份有限公司（股票代碼：HK8235）在“2009中國(guó)消費(fèi)電子市場(chǎng)年會(huì)”上發(fā)布《2008-2009年中國(guó)DVD播放機(jī)市場(chǎng)研究年度報(bào)告》顯示：中國(guó)DVD播放機(jī)市場(chǎng)經(jīng)過十多年的風(fēng)雨歷程，已經(jīng)進(jìn)入成熟期。2003年到2006年中國(guó)DVD播放機(jī)的銷量雖保持增長(zhǎng)，但是增長(zhǎng)幅...
2009-03-12
DVD 中國(guó) 高清 藍(lán)光 紅光 家電下鄉(xiāng) 步步高 萬利達(dá)
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iSuppli預(yù)測(cè)09年LED背光成為面板產(chǎn)業(yè)救世主
據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli預(yù)測(cè)，2009年全球LED銷售額可望逆勢(shì)成長(zhǎng)2.9%，增幅雖低于2008年的10.8%，但表現(xiàn)仍遠(yuǎn)優(yōu)于其它銷售額驟減的電子零組件產(chǎn)品類別。2009年，LED在背光領(lǐng)域的增長(zhǎng)主要集中在液晶電視、筆記本電腦，特別是Netbook上的應(yīng)用。
2009-03-12
LED背光 面板 液晶電視 筆記本 上網(wǎng)本
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USB 3.0測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺(tái)
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有望于2009年上半年出臺(tái)。參與測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)制定的美國(guó)安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預(yù)定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應(yīng)用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會(huì)“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測(cè)試儀器
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USB 3.0測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺(tái)
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有望于2009年上半年出臺(tái)。參與測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)制定的美國(guó)安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預(yù)定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應(yīng)用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會(huì)“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測(cè)試儀器
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USB 3.0測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺(tái)
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)有望于2009年上半年出臺(tái)。參與測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)制定的美國(guó)安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預(yù)定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應(yīng)用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會(huì)“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測(cè)試儀器
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開關(guān)
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開關(guān)
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開關(guān)
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中國(guó)版WEEE出臺(tái)：電器廠商成本上升5%
在歐盟《關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令》(WEEE)全面實(shí)施近三年后，中國(guó)版WEEE出臺(tái)。條例對(duì)制造商有很多保護(hù)措施，而金融危機(jī)的到來讓該條例正式實(shí)施的時(shí)間推遲到2011年元旦。中國(guó)版的WEEE在多次征求意見和修改后對(duì)生產(chǎn)者采取了優(yōu)惠的政策，但保留了“生產(chǎn)者負(fù)責(zé)制”。該法規(guī)有可能使電器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中國(guó)版WEEE WEEE 關(guān)于報(bào)廢電子電器設(shè)備指令 廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理?xiàng)l例
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