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電源管理

高壓交流隔離開關和接地開關選用的若干問題

本文分析了高壓交流隔離開關和接地開關選用的若干問題，包括：隔離開關開合母線轉(zhuǎn)換電流、接地開關開合感應電流、單柱垂直斷口隔離開關的額定接觸區(qū)、接地開關的短路持續(xù)時間和隔離開關的過載能力、接地開關的長期通流問題、絕緣子爬電距離是否需要進行海拔修正的問題。

2008-10-23

隔離開關接地開關轉(zhuǎn)換電流隔離電流接觸區(qū)

SiR476DP/SiR892DP/SiR850DP ：Vishay新型功率MOSFET

日前，Vishay推出一款新型 25V n 通道器件，從而擴展了其 Gen III TrenchFET功率 MOSFET 系列，對于采用 PowerPAK SO-8 封裝類型且具有該額定電壓的器件而言，該器件具有業(yè)界最低的導通電阻以及導通電阻與柵極電荷之乘積。

2008-10-23

SiR476DP SiR892DP SiR850DP MOSFET

廣交會機電產(chǎn)品成交降13% 歐美客戶狠壓價

機電歡喜紡織愁的出口走勢悄然變化，中國外貿(mào)額中占到半壁的機電產(chǎn)品在金融海嘯沖擊下出口增速也很可能下滑。廣交會昨日對外公布第104屆一期情況，機電產(chǎn)品成交不容樂觀。廣交會昨日公布的數(shù)據(jù)顯示，本屆廣交會第一期到會境外采購商共87305人，出口累計成交164.5億美元，其中機電產(chǎn)品139.2億美元，...

2008-10-22

機電

西門子變頻器參數(shù)設置的探討

本文介紹了西門子變頻器控制方式選擇，快速調(diào)試，加減速時間調(diào)整，以及轉(zhuǎn)動慣量設置。

2008-10-22

變頻器控制方式快速調(diào)試加減速時間轉(zhuǎn)動慣量

用于軟起動器的晶閘管模塊SEMiSTART

本文介紹了電機起動控制的三種方式，軟起動器對晶閘管的要求，晶閘管模塊中使用的裝配和連接技術以及SEMiSTAT模塊的技術指標。

2008-10-22

電機晶閘管裝配 SEMiSTAT模塊

自動轉(zhuǎn)換開關電器ATSE的現(xiàn)狀選擇與應用

本文介紹了國內(nèi)外ATSE產(chǎn)品現(xiàn)狀，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析對比及ATSE的選擇以及ATSE產(chǎn)品的應用，最后簡介新一代PC級ATSE產(chǎn)品。

2008-10-22

ATSE PC級轉(zhuǎn)換開關

分立器件封裝低端市場競爭激烈

目前，半導體分立器件還沒有享受到像集成電路產(chǎn)業(yè)那樣的優(yōu)惠政策，不利于分立器件持續(xù)發(fā)展。中國分立器件企業(yè)要堅持在科學發(fā)展中尋找解決困難的途徑，以積極的姿態(tài)迎接中國半導體美好的明天。

2008-10-21

分立器件光電二極管二極管三極管肖特基二極管

IGBT集成驅(qū)動模塊的研究

本文主要研究IGBT集成驅(qū)動模塊，首先闡述了IGBT驅(qū)動保護電路的原則，接著著重分析了EXB841、M57962AL、GH一039、HL402四類模塊的結(jié)構(gòu)和典型應用，最后結(jié)合IR、UC37系列驅(qū)動器進行比較得出結(jié)論。

2008-10-17

IGBT集成驅(qū)動模塊驅(qū)動保護電路 EXB841 M57962AL GH一039 HL402

一種升壓型PFM控制DC/DC轉(zhuǎn)換器

本文設計了一種升壓型PFM控制DC/DC轉(zhuǎn)換器，該電路可在低輸入電壓0.9V下工作，利用PFM控制電路，根據(jù)負載大小自動切換占空比系數(shù)，結(jié)構(gòu)簡單、功耗低、在大范圍內(nèi)可獲得較低的輸出紋波和高效率，輸出電壓精度為±0.3%。

2008-10-17

DC/DC轉(zhuǎn)換器 PFM控制升壓

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